近日，兆馳半導(dǎo)體、長春希達(dá)、第三代半導(dǎo)體研究院、海目星、羅化芯、隆利科技、旭顯未來等企業(yè)紛紛公布最新Micro LED或LED背光專利信息，涉及外延結(jié)構(gòu)及其制備方法、發(fā)光芯片測試方法、修復(fù)方法與修復(fù)設(shè)備、芯片封裝體及其制備方法、顯示面板及其形成方法、巨量轉(zhuǎn)移等方面。

    兆馳半導(dǎo)體：一種高空穴注入效率Micro-LED外延結(jié)構(gòu)及其制備方法

    江西兆馳半導(dǎo)體有限公司申請一項(xiàng)名為“一種高空穴注入效率Micro-LED外延結(jié)構(gòu)及其制備方法”的發(fā)明專利，申請公布號為CN118899378A，申請公布日為2024月11月5日，發(fā)明人為舒俊、程龍、高虹、鄭文杰、張彩霞、劉春楊、胡加輝、金從龍。

    專利摘要：本發(fā)明公開了一種高空穴注入效率Micro‑LED外延結(jié)構(gòu)及其制備方法，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明的Micro‑LED外延結(jié)構(gòu)包括多量子阱發(fā)光層、多階P型空穴注入增強(qiáng)層和P型半導(dǎo)體層；多階P型空穴注入增強(qiáng)層包括第一階空穴注入增強(qiáng)層、第二階空穴注入增強(qiáng)層和第三階空穴注入增強(qiáng)層；第一階空穴注入增強(qiáng)層包括第一AlGaN層和第一InGaN層；第二階空穴注入增強(qiáng)層包括第二AlGaN層和第二InGaN層，第二InGaN層中摻雜有Mg；第三階空穴注入增強(qiáng)層包括第三AlGaN層、第三InGaN層和第四InGaN層，第三InGaN層和第四InGaN層中分別摻雜有Mg。本發(fā)明高空穴注入效率的Micro‑LED外延結(jié)構(gòu)，可顯著提高P型半導(dǎo)體層的空穴注入效率并改善多量子阱發(fā)光層區(qū)域電子空穴濃度的匹配度，從而提高M(jìn)icro‑LED芯片在低工作電流密度下的光效。

    據(jù)悉，江西兆馳半導(dǎo)體有限公司為深圳市兆馳股份有限公司在江西省南昌市高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)區(qū)設(shè)立的全資子公司，注冊資金為16 億元，總投資 100 億元，是一家專業(yè)從事 LED 外延片和芯片集研發(fā)生產(chǎn)為一體的國家級高新 技術(shù)企業(yè)，園區(qū)占地約 500 畝，一期廠房、研發(fā)及配套建筑面積約 35 萬多平方米。 母公司深圳市兆馳股份涉及傳統(tǒng) 液晶電視、智能家居、LED全產(chǎn)業(yè)鏈、互聯(lián)網(wǎng)影視傳媒等。公司 LED產(chǎn)業(yè)鏈覆蓋LED 芯片、封裝、COB 直顯應(yīng)用與Mini LED背光電視等。

    兆馳半導(dǎo)體：用于Micro-LED的外延結(jié)構(gòu)及其制備方法

    江西兆馳半導(dǎo)體有限公司申請一項(xiàng)名為“用于Micro-LED的外延結(jié)構(gòu)及其制備方法”的發(fā)明專利，申請公布號為CN118888657A，申請公布日為2024月11月1日，發(fā)明人為胡加輝、鄭文杰、程龍、高虹、劉春楊、金從龍。

    專利摘要：本發(fā)明公開了一種用于Micro‑LED的外延結(jié)構(gòu)及其制備方法、Micro‑LED，涉及半導(dǎo)體光電器件領(lǐng)域。其中，外延結(jié)構(gòu)依次包括襯底、緩沖層、非摻雜GaN層、N型GaN層、多量子阱層、空穴輸運(yùn)層和P型GaN層；多量子阱層包括交替層疊的量子阱層和量子壘層；所述量子阱層為InxGa1‑xN層，所述量子壘層包括依次層疊的InyGa1‑yN層、AlzGa1‑zN層和BwGa1‑wN層；x＞y；所述量子壘層的厚度＜10nm；所述空穴輸運(yùn)層包括依次層疊的AlαGa1‑αN層、BβGa1‑βN層和AlN層；w＞α＞β。實(shí)施本發(fā)明，可提升Micro‑LED在低電流密度下的光效，提升其顯示效果。

    長春希達(dá)：一種Micro-LED發(fā)光芯片測試方法

    長春希達(dá)電子技術(shù)有限公司申請一項(xiàng)名為“一種Micro-LED發(fā)光芯片測試方法”的發(fā)明專利，申請公布號為CN118884188A，申請公布日為2024月11月1日，發(fā)明人為鄭喜鳳、陳煜豐、毛新越、曹慧、汪洋、苗靜、張曦。

    專利摘要：一種Micro‑LED發(fā)光芯片測試方法，涉及Micro‑LED顯示技術(shù)領(lǐng)域，解決現(xiàn)有采用TFT的AM驅(qū)動技術(shù)驅(qū)動Micro‑LED顯示器時，由于TFT和LED的性能差異會造成紅綠藍(lán)LED亮度匹配不均造成灰度過度不均勻以及亮度不均勻性的問題。方法通過基于PCB基板設(shè)計Micro‑LED測試陣列模組，陣列內(nèi)部采用并聯(lián)方式將LED陣列連接，外部采用電壓源直接驅(qū)動方式保證加載到每顆LED上的電壓是一致的。通過測試紅綠藍(lán)三基色Micro‑LED陣列模組從0灰階到255灰階的數(shù)據(jù)電壓計算得紅綠藍(lán)模組最小灰階電壓的公約數(shù)以及Micro‑LED白場最小的灰階等級。本發(fā)明適用于Micro‑LED顯示領(lǐng)域。

    據(jù)了解，長春希達(dá)電子技術(shù)有限公司成立于2001年, 依托于中科院長春光機(jī)所建立，集研發(fā)、生產(chǎn)、銷售、服務(wù)及研究生培養(yǎng)為一體的企業(yè)， 是專業(yè)從事創(chuàng)新性技術(shù)研究的LED顯示與LED照明產(chǎn)品制造商。

    第三代半導(dǎo)體研究院：Micro-LED器件及其制備方法

    江蘇第三代半導(dǎo)體研究院有限公司申請一項(xiàng)名為“Micro-LED器件及其制備方法”的發(fā)明專利，申請公布號為CN118867068A，申請公布日為2024月10月29日，發(fā)明人為王陽。

    專利摘要：本發(fā)明公開一種Micro‑LED器件及其制備方法，該方法包括在襯底上依次形成層疊的N型層、第一發(fā)光結(jié)構(gòu)和第一介質(zhì)層；去除上述膜層的一部分，形成間隔分布的第一凸起、第一凹槽、第二凸起、第二凹槽和第三凸起；在第一凹槽和第二凹槽形成第二介質(zhì)層；去除至少部分第一介質(zhì)層和部分第二介質(zhì)層、露出第一發(fā)光結(jié)構(gòu)并形成第一孔，并形成第一P電極；去除第一凹槽上的第二介質(zhì)層，在第一凹槽槽底依次形成第二發(fā)光結(jié)構(gòu)和第二P電極；去除第二凹槽上的第二介質(zhì)層，并形成第三發(fā)光結(jié)構(gòu)和第三P電極；去除第三凸起、第三凸起表面的第一介質(zhì)層和第二介質(zhì)層，露出N型層并N電極。采用該方案，保證色彩的純凈度和亮度均勻性，改善發(fā)光效率低下和顏色一致性差的問題。

    江蘇第三代半導(dǎo)體研究院有限公司（以下簡稱研究院）于2019年7月注冊于蘇州工業(yè)園區(qū)，是以市場化機(jī)制運(yùn)行的新型研發(fā)機(jī)構(gòu)。研究院以培育發(fā)展第三代半導(dǎo)體技術(shù)應(yīng)用產(chǎn)業(yè)為目標(biāo)，聚焦第三代半導(dǎo)體在新型顯示、5G 通信、電力電子、環(huán)境與健康等領(lǐng)域的應(yīng)用，開展第三代半導(dǎo)體高質(zhì)量材料制備技術(shù)、器件外延技術(shù)、芯片工藝技術(shù)、應(yīng)用模塊設(shè)計與集成技術(shù)、相關(guān)裝備技術(shù)等關(guān)鍵共性技術(shù)研發(fā)和成果轉(zhuǎn)移轉(zhuǎn)化，建立覆蓋第三代半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈條、全體系的創(chuàng)新平臺，實(shí)現(xiàn)技術(shù)、人才、成果等資源的可持續(xù)供給和配套能力，加快第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的集聚發(fā)展，推動基礎(chǔ)研究、應(yīng)用研究和產(chǎn)業(yè)的有機(jī)融合。

    海目星：Micro-LED修復(fù)方法與修復(fù)設(shè)備

    海目星激光科技集團(tuán)股份有限公司申請一項(xiàng)名為“Micro-LED修復(fù)方法與修復(fù)設(shè)備”的發(fā)明專利，申請公布號為N118848253A，申請公布日為2024月10月29日，發(fā)明人為徐念、李兵、譚寶。

    專利摘要：本發(fā)明公開了一種Micro‑LED修復(fù)方法與修復(fù)設(shè)備，修復(fù)設(shè)備包括支撐架、激光加工組裝置、物鏡組件、Z軸模組和T軸模組，所述物鏡組件沿T軸方向滑動連接于所述支撐架上，所述T軸模組用于驅(qū)動所述物鏡組件移動，以使物鏡組件中不同倍率的物鏡移動至激光加工組裝置射出激光的同軸位置，所述激光加工組裝置沿Z軸方向滑動連接于所述支撐架上，所述Z軸模組用于驅(qū)動所述支撐架移動，以調(diào)節(jié)所述物鏡組件在Z軸方向的位置；修復(fù)方法采用上述修復(fù)設(shè)備實(shí)現(xiàn)Micro‑LED的修復(fù)。本發(fā)明通過不同倍率物鏡的選擇以及物鏡高度的調(diào)節(jié)來自動追焦，從而提高加工的精度，同時提高加工效率。

    海目星激光科技集團(tuán)股份有限公司總部位于深圳，現(xiàn)有海目星（江門）激光智能裝備有限公司、海目星激光智能裝備（江蘇）有限公司、海目星激光智能裝備（成都）有限公司等多家全資子公司。海目星激光一直以來深耕激光和自動化領(lǐng)域，主要從事鋰電、光伏、消費(fèi)電子、鈑金加工、先進(jìn)顯示等行業(yè)激光及自動化設(shè)備的研發(fā)、設(shè)計、生產(chǎn)及銷售，在激光、自動化和智能化綜合運(yùn)用領(lǐng)域已形成較強(qiáng)的優(yōu)勢。

    羅化芯：一種多Micro-LED芯片封裝體及其制備方法

    羅化芯顯示科技開發(fā)（江蘇）有限公司申請一項(xiàng)名為“一種多Micro-LED芯片封裝體及其制備方法”的發(fā)明專利，申請公布號為CN118867073A，申請公布日為2024月10月29日，發(fā)明人為李雍、劉斌、瞿澄、陳文娟。

    專利摘要：本發(fā)明涉及一種多Micro‑LED芯片封裝體及其制備方法，涉及半導(dǎo)體顯示技術(shù)領(lǐng)域。在本發(fā)明的多Micro‑LED芯片封裝體的制備方法中，通過優(yōu)化第一氧化鋯鈍化層、第二氧化鋯鈍化層以及第三氧化鋯鈍化層的制備工藝，使得各氧化鋯鈍化層的表面為粗糙結(jié)構(gòu)，進(jìn)而在后續(xù)形成各金屬層時，可以有效提高二者的結(jié)合性能，進(jìn)而可以有效避免各金屬層剝離，且通過形成第一金屬層、第二金屬層以及第三金屬層，為各Micro‑LED芯片與第二電極之間提供多條導(dǎo)電通路，在后續(xù)的使用過程中，即使某一個導(dǎo)電通路發(fā)生斷路，這也不妨礙各Micro‑LED芯片的正常使用。

    羅化芯：一種Micro-LED顯示面板及其形成方法

    羅化芯顯示科技開發(fā)（江蘇）有限公司申請一項(xiàng)名為“一種Micro-LED顯示面板及其形成方法”的發(fā)明專利，申請公布號為CN118867074A，申請公布日為2024月10月29日，發(fā)明人為李雍、劉斌、瞿澄、陳文娟。

    專利摘要：本發(fā)明涉及一種Micro‑LED顯示面板及其形成方法，涉及半導(dǎo)體顯示技術(shù)領(lǐng)域。在本發(fā)明的Micro‑LED顯示面板的形成方法中，通過在第二半導(dǎo)體層上形成第一透明導(dǎo)電層，并對所述第一透明導(dǎo)電層進(jìn)行圖案化處理，以形成多個平行排列的條形透明導(dǎo)電凸塊，接著形成第二透明導(dǎo)電層，且設(shè)置第一透明導(dǎo)電層為鎂和氟共摻雜的氧化錫，第二透明導(dǎo)電層為氧化銦錫，通過上述設(shè)置，可以大大提高電流的擴(kuò)散性能，進(jìn)而可以提高M(jìn)icro‑LED單元的發(fā)光性能。

    求是高等研究院：Micro-LED顯示芯片制備方法及Micro-LED顯示芯片

    江西求是高等研究院申請一項(xiàng)名為“Micro-LED顯示芯片制備方法及Micro-LED顯示芯片”的發(fā)明專利，申請公布號為CN118825173A，申請公布日為2024月10月21日，發(fā)明人為封波、喻文輝、彭康偉。

    專利摘要：本發(fā)明提供了一種Micro‑LED顯示芯片制備方法及Micro‑LED顯示芯片，制備方法包括：在生長襯底上沉積GaN外延層和第一鍵合金屬層；在驅(qū)動電路基板表面沉積第二鍵合金屬層后與第一鍵合金屬層鍵合；去除生長襯底及部分GaN外延層后進(jìn)行光刻和刻蝕，以形成若干相互獨(dú)立的Micro‑LED單元；沉積鈍化層和N電極層，得到若干獨(dú)立的發(fā)光臺面；在相鄰的兩發(fā)光臺面之間沉積環(huán)形的金屬電極，在金屬電極與發(fā)光臺面之間填充含有量子點(diǎn)和納米熒光粉的粘性光學(xué)涂層；制備微透鏡陣列后貼合在粘性光學(xué)涂層上，以得到目標(biāo)Micro‑LED顯示芯片。本申請的Micro‑LED顯示芯片為全彩顯示芯片，發(fā)光亮度強(qiáng)、效率高。

    旭顯未來：取得Micro LED巨量轉(zhuǎn)移專利

    國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，旭顯未來(北京)科技有限公司取得一項(xiàng)名為“一種MicroLED芯片巨量轉(zhuǎn)移裝置”的專利，授權(quán)公告號CN221885132U，申請日期為2024年2月。專利可通過在焊盤位置設(shè)置凹陷區(qū)，并利用磁性吸附的原理實(shí)現(xiàn)Micro LED芯片的快速定位安裝，可靠性高。

    專利摘要顯示，本實(shí)用新型涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種Micro LED芯片巨量轉(zhuǎn)移裝置。一種Micro LED芯片巨量轉(zhuǎn)移裝置包括Micro LED芯片、轉(zhuǎn)移基板和搖動單元;轉(zhuǎn)移基板上設(shè)置有焊盤位置，焊盤位置處設(shè)置有凹陷區(qū);焊盤位置的其中一個電極具有磁性;Micro LED芯片兩個電極具有磁性，其中，Micro LED芯片與轉(zhuǎn)移基板相同定義的電極上具有的磁性與焊盤位置上的磁性相反;搖動單元與轉(zhuǎn)移基板傳動連接并用于搖動轉(zhuǎn)移基板，使Micro LED芯片落于凹陷區(qū)。

    旭顯未來是一家專業(yè)從事Mini/Micro LED顯示屏生產(chǎn)技術(shù)研發(fā)、軟件開發(fā)、技術(shù)服務(wù)、系統(tǒng)集成的高新技術(shù)企業(yè)。在全國范圍內(nèi)布局了五大生產(chǎn)基地，分別位于山東、湖南、江西、安徽、浙江。

    溢彩芯光：一種疊層式全彩Micro-LED微顯示裝置及其制作方法

    溢彩芯光科技（寧波）有限公司申請一項(xiàng)名為“一種疊層式全彩Micro-LED微顯示裝置及其制作方法”的專利，公開號CN118782599A，申請公布日為2024月10月15日，發(fā)明人為鮑旭源、馮浩賢。

    專利摘要：本申請公開了一種疊層式全彩 Micro-LED 微顯示裝置及其制作方法，屬于顯示器件技術(shù)領(lǐng)域。包括 CMOS 集成電路板，所述 CMOS 集成電路板上陣列排布有垂直設(shè)置的若干全彩發(fā)光單元，所述全彩發(fā)光單元包括若干單色發(fā)光單元；所述單色發(fā)光單元包括藍(lán)光發(fā)光單元、綠光發(fā)光單元、紅光發(fā)光單元；所述紅光單元由其結(jié)構(gòu)中的綠光氮化鎵發(fā)光層通電激發(fā)發(fā)出紅光，所述綠光發(fā)光單元、紅光發(fā)光單元由 CMOS 集成電路板驅(qū)動發(fā)光。本申請采用電致發(fā)光發(fā)出的綠光，較電致發(fā)光產(chǎn)生的藍(lán)光二次激發(fā)綠光量子點(diǎn)發(fā)光所消耗的能量低，可有效降低器件的功耗，并規(guī)避了量子點(diǎn)自身的性能缺陷問題，避免反光擋墻刻蝕過程中刻蝕氣體對綠光量子點(diǎn)轉(zhuǎn)光層材料的破壞。

    據(jù)了解，溢彩芯光專注于Micro LED微顯示芯片的研發(fā)、生產(chǎn)與銷售，核心產(chǎn)品為Micro LED微顯示器，具有低功耗、高亮度、高刷新率、高PPI等優(yōu)勢，可廣泛應(yīng)用于AR顯示行業(yè)，并擴(kuò)展應(yīng)用到AR-HUD、矩陣車燈、微投影儀等領(lǐng)域。公司已具備“硅基GaN外延片—鈣鈦礦量子點(diǎn)材料—Micro LED芯片結(jié)構(gòu)設(shè)計—半導(dǎo)體加工”全鏈條能力。

    隆利科技：直下式背光裝置及顯示設(shè)備

    深圳市隆利科技股份有限公司發(fā)公告稱，近日收到由國家知識產(chǎn)權(quán)局頒發(fā)的一 項(xiàng)發(fā)明專利證書，

    發(fā)明專利《直下式背光裝置及顯示設(shè)備》提供一種改善面光源均勻出光的直下式背光裝置 ，利用直下式背光的整體結(jié)構(gòu)和反射杯上設(shè)置的透光結(jié)構(gòu)，將從 LED 光源射出的光通過所述透光結(jié)構(gòu)在所述反射杯之間傳播，在不增加成本與出光均勻度的條件下，可有效地縮減LED光源與光學(xué)膜片之間的間距使得背光裝置達(dá)到薄型化，克服亮暗不均 ( 的問題 實(shí)現(xiàn)均勻的面光源出光，并且提高了光的利用效率。

    據(jù)了解，深圳市隆利科技股份有限公司深耕背光顯示模組行業(yè)，以LED背光顯示模組為依托，拓展Mini-LED、Micro-LED等新技術(shù)；在現(xiàn)有業(yè)務(wù)的基礎(chǔ)上，同時向車載、智能穿戴、電競顯示器等領(lǐng)域拓展等。自2016年以來，公司已投入大量資金及人力開展 Mini-LED 技術(shù)的研發(fā)，分別在 IC 驅(qū)動、電路設(shè)計、結(jié)構(gòu)、光學(xué)以及柔性板封裝方面進(jìn)行了研究和整合。公司的 Mini-LED 技術(shù)率先實(shí)現(xiàn)了多個應(yīng)用領(lǐng)域的技術(shù)突破，已經(jīng)成功應(yīng)用于車載顯示、顯示器以及 VR 等領(lǐng)域。同時，公司布局了行業(yè)前沿技術(shù)Micro-LED技術(shù)，也儲備了相關(guān)的專利技術(shù)，未來公司將繼續(xù)保持創(chuàng)新理念，進(jìn)一步增強(qiáng)公司的競爭實(shí)力。