4月18日，中微半導體設備（上海）股份有限公司發布2024年年度報告。公司2024年營業收入約90.65億元，較2023年增加約28.02億元，同比增長約44.73%。其中，2024年刻蝕設備銷售約72.77億元，同比增長約54.72%；MOCVD設備銷售約3.79億元，同比下降約18.03%，LPCVD設備2024年實現首臺銷售，全年設備銷售約1.56億元。

    2024年歸屬于母公司所有者的凈利潤約16.16億元，較上年同期減少9.53%，本期減少的主要原因：（1）2024年營業收入增長44.73%下，毛利較去年增長約9.78億元。（2）由于市場對中微開發多種新設備的需求急劇增長，2024年公司顯著加大研發力度，以盡快補齊國產高端半導體設備短板，實現趕超，為持續增長打好基礎。2024年公司研發投入約24.52億元，較去年增長11.90億元，同比增長約94.31%，2024年研發投入占公司營業收入比例約為27.05%，遠高于科創板均值。2024年研發費用14.18億元，較去年增長約6.01億元，同比增長約73.59%。（3）2023年公司出售了持有的部分拓荊科技股份有限公司股票，產生稅后凈收益約4.06億元，而2024年公司并無該項股權處置收益。

    2024年歸屬于母公司所有者的扣除非經常性損益的凈利潤約13.88億元，較上年同期增加16.51%，本期增長的主要原因：由于2024年營業收入增長44.73%，毛利較去年增長約9.78億元，以及2024年研發費用較去年增長約6.01億元。

    于報告期末，公司總資產約262.18億元，較報告期初增加21.80%；歸屬于母公司的所有者權益約197.37億元，較報告期初增加10.72%。

    報告期內，公司主要從事高端半導體設備及泛半導體設備的研發、生產和銷售。公司瞄準世界科技前沿，基于在半導體設備制造產業多年積累的專業技術，涉足半導體集成電路制造、先進封裝、LED外延片生產、功率器件、MEMS制造以及其他微觀工藝的高端設備領域。

    公司的等離子體刻蝕設備已應用在國際一線客戶從65至5納米及其他先進的集成電路加工制造生產線及先進封裝生產線。公司MOCVD設備在行業領先客戶的生產線上大規模投入量產，公司已成為世界排名前列的氮化鎵基LED設備制造商。公司近兩年新開發的LPCVD薄膜設備和ALD薄膜設備，目前已有多款新型設備產品進入市場并獲得重復性訂單。

    2024年公司研發投入約24.52億元，較去年增長11.90億元，同比增長約94.31%，研發投入占公司營業收入比例約為27.05%，遠高于科創板上市公司的平均研發投入水平。

    報告期內，公司新增專利申請359項，包括發明專利263項，實用新型專利84項，外觀設計專利12項。截至2024年12月，公司已申請2,910項專利，其中發明專利2,424項，占比83.30%；已獲授權專利1,781項，其中發明專利1,514項。

    公司CCP刻蝕設備中雙反應臺Primo D-RIE、Primo AD-RIE、Primo AD-RIEe，單反應臺Primo HD-RIE等產品已廣泛應用于國內外一線客戶的生產線，2024年付運量較2023年增長逾100%。具有動態可調電極間距功能的雙反應臺Primo SD-RIE 進入先進邏輯生產線驗證關鍵工藝。用于高精度高選擇比刻蝕工藝的單反應臺產品Primo HD-RIEe，和用于超高深寬比刻蝕工藝的Primo UD-RIE實現規模付運。2024年全年CCP刻蝕設備生產付運超過1200反應臺，創歷史新高。累計裝機量超過4000反應臺，連續十年保持大于30%的年平均復合增長率。

    公司已有的刻蝕產品已經對28納米以上的絕大部分CCP刻蝕應用和28納米及以下的大部分CCP刻蝕應用形成較為全面的覆蓋。針對28納米及以下的邏輯器件生產中廣泛采用的一體化大馬士革刻蝕工藝，公司開發的可調節電極間距的CCP刻蝕機Primo SD-RIE已進入國內領先的邏輯芯片制造客戶端，初步電性驗證已經通過，正在進行更多的器件功能測試。Primo SD-RIE也已經進入28納米以下的研發線，就多項關鍵刻蝕工藝開展現場研發工作。該設備采用雙反應臺平臺設計，在滿足客戶工藝指標的同時可以有效幫助客戶降低其相關的生產成本。Primo SD-RIE具有實時可調電極間距功能，可以在同一刻蝕工藝的不同步驟使用不同的電極間距，能靈活調節等離子體和活性自由基的濃度分布，公司多項的技術革新能有效應對一體化大馬士革刻蝕工藝中的獨特要求，在同一刻蝕工藝中有效應對在實現最優溝槽和通孔刻蝕均勻性過程中可能發生的問題，極大拓寬了一體化刻蝕工藝的工藝窗口和工藝能力。

    報告期內，公司的ICP刻蝕設備在涵蓋邏輯、DRAM、3D NAND、功率和電源管理、以及微電機系統等芯片和器件的50多個客戶的生產線上量產，并繼續驗證更多ICP刻蝕工藝。2024年，ICP刻蝕設備在客戶端的累計安裝數達到1025個反應臺，近四年年均增長大于100%。

    報告期內，公司用于藍光照明的PRISMO A7、用于深紫外LED的PRISMO HiT3、用于Mini-LED顯示的PRISMO UniMax等產品持續服務客戶。截止2024年，公司持續保持國際氮化鎵基MOCVD設備市場領先地位。其中PRISMO UniMax產品自2021年6月正式發布以來，憑借其高產量、高波長均勻性、高良率等優點，受到下游客戶的廣泛認可，在Mini-LED顯示外延片生產設備領域處于國際領先。

    公司于2023年底付運Micro-LED應用的設備樣機Preciomo Udx至國內領先客戶開展生產驗證。報告期內樣機驗證順利，已基本滿足客戶生產要求。

    隨著電動汽車、消費電子、人工智能、風力與光伏儲能和軌道交通等應用的快速發展，市場對氮化鎵和碳化硅功率器件的需求呈現爆發式增長。公司已經建立了氮化鎵LED外延裝備的優勢，在此基礎上，進一步研發了面向硅基氮化鎵異質外延功率器件的專用設備。于2022年推出了用于氮化鎵功率器件生產應用的MOCVD設備PRISMO PD5，目前已交付客戶進行生產驗證，并取得了重復訂單。除此之外，公司正在開發新一代氮化鎵功率器件應用的MOCVD設備，將進一步提升設備性能，降低客戶生產成本，持續提升公司在氮化鎵基MOCVD設備領域的競爭力，預計2025年將付運至客戶進行驗證。

    同時，公司也啟動了應用于碳化硅功率器件外延生產設備的開發，報告期內公司取得較大的技術進展，實現了優良的工藝結果，正與多家領先客戶開展商務洽談，報告期內已付運樣機至國內領先客戶開展生產驗證。

    此外，公司也緊跟市場發展趨勢，積極拓展MOCVD設備的應用范圍；報告期內，公司啟動了應用于紅黃光LED的MOCVD設備開發，目前開發較為順利，實驗室初步結果已實現了優良的波長均勻性能。

    公司已開發出六款薄膜沉積產品推向市場。中微公司鎢系列薄膜沉積產品：CVD（化學氣相沉積）鎢設備，HAR（高深寬比）鎢設備和ALD（原子層沉積）鎢設備，可覆蓋存儲器件所有鎢應用；該系列設備均已通過關鍵存儲客戶端現場驗證，滿足先進存儲應用中所有金屬互聯應用（包含高深寬比金屬互聯應用）及三維存儲器件字線應用各項性能指標，并獲得客戶重復量產訂單。同時，公司鎢系列產品也可滿足先進邏輯客戶鎢接觸孔應用性能需求，已付運機臺到多個邏輯客戶進行驗證，為進一步積累市場優勢打下基礎。

    同期，公司開發出應用于先進邏輯器件的金屬柵系列產品：ALD氮化鈦，ALD鈦鋁，ALD氮化鉭產品，已完成多個先進邏輯客戶設備驗證，可滿足先進邏輯客戶性能需求的同時，設備的薄膜均一性，污染物控制和生產效率均達到世界先進水平。該系列設備已付運到先進邏輯客戶端進行驗證，核準推進順利。其中，ALD氮化鈦薄膜也是先進存儲器件中鎢填充阻擋層和粘結層的主要選擇，公司開發的ALD氮化鈦設備可滿足先進存儲器件高深寬比及三維結構的臺階覆蓋率需求及各項性能指標，并已通過多個關鍵存儲客戶的樣品驗證，有利于進一步擴大市場規模。

    中微公司在現有的金屬CVD和ALD設備研發基礎上，同步推進多款CVD和ALD設備開發，增加薄膜設備的覆蓋率，進一步拓展市場。

    子公司中微惠創利用分子篩的吸附原理，開發制造了平板顯示領域氣體凈化設備。設備可根據客戶的要求靈活配置不同處理規模的系統，提供給客戶可靠、穩定、安全和節能的凈化解決方案。此外，中微惠創與德國DAS環境專家有限公司繼續開展戰略合作，雙方在半導體行業尾氣處理設備領域展開緊密的合作，目前已經批量生產制造凈化設備，并順利地應用在各個客戶端，共同推動環保科技行業的發展。

    為更好地完善公司的產業鏈布局，進一步提升公司的產能規模和綜合競爭實力，公司在上海臨港新片區建設中微臨港產業化基地及中微臨港總部和研發中心，在南昌高新區建設中微南昌產業化基地。公司位于南昌的約14萬平方米的生產和研發基地已建成完工，并于2023年7月正式投入使用；公司在上海臨港的約18萬平方米的生產和研發基地主體建設已基本完成，并于2024年8月正式投入使用；上海臨港滴水湖畔約10萬平方米的總部大樓暨研發中心也在順利建設，為今后的發展夯實基礎。