01發明名稱：Superlattice layer, LED epitaxial structure, display device, and method for manufacturing LED epitaxial structure

    授權公告號：US12057521B2

    專利權人：重慶康佳光電科技有限公司

    授權類型：美國發明

    授權日：2024-08-06

    專利摘要：

    This disclosure relates to a superlattice structure, an LED epitaxial structure, a display device, and a method for manufacturing the LED epitaxial structure. The superlattice structure includes at least two superlattice units which are grown in stacking layers. Each of the at least two superlattice units includes a first n-type GaN layer, a second n-type GaN layer, a first n-type GaInN layer, and a second n-type GaInN layer which are grown in stacking layers. The first n-type GaN layer has a doping concentration which is constant along a growth direction, the second n-type GaN layer has a doping concentration which gradually increases along the growth direction, the first n-type GaInN layer has a doping concentration which gradually decreases along the growth direction, and the second n-type GaInN layer has a doping concentration which is constant along the growth direction。

    解決的技術問題：現有的藍光LED外延結構面臨著藍寶石襯底與LED外延層之間嚴重的晶格失配問題,導致多量子阱區域中出現應變誘導位錯和V形缺陷,從而影響發光特性。

    技術創新點：通過引入了超晶格層,該超晶格層由具有特定摻雜濃度和 n 型 GaN 和 GaInN 層厚度的多個單元組成,在堆疊層中生長以減少應變和位錯,并開發了包含該超晶格層以及其他層的 LED 外延結構 以增強發光性能。

    技術效果：提高LED的發光性能。

    該專利可應用到的產品：Micro LED外延、Micro-LED芯片以及應用該Micro-LED芯片的顯示類產品。

    02 發明名稱：轉移裝置及其制作方法、檢測方法及檢測裝置

    授權公告號：CN115452714B

    專利權人：重慶康佳光電科技有限公司

    授權類型：中國發明

    授權日：2025-04-15

    專利摘要：

    本申請公開了一種轉移裝置及其制作方法、檢測方法及檢測裝置，轉移裝置包括轉移頭，轉移頭的凸起上形成有膠體晶體層，基于膠體晶體微球結構的布拉格反射作用可以呈現不同光顏色的特性，根據各凸起上的膠體晶體層反射出的光確定凸起是否異常，從而可實現轉移頭上是否出現異常凸起的檢測。

    解決的技術問題：因凸起式轉移頭在循環往復受熱受壓力過程中容易發生不可恢復的形變或受損缺失，導致凸起的平整性變化，無法有效檢測并避免異常凸起導致的芯片轉移失敗或不合格。

    技術創新點：通過在轉移頭的凸起上形成膠體晶體層，該膠體晶體層包括有序排列的膠體晶體微球，利用膠體晶體微球結構的布拉格反射作用，通過光的反射特性來檢測凸起是否異常。

    技術效果：實現了對凸起式轉移頭上是否出現異常凸起的有效檢測，避免了異常凸起導致的芯片轉移失敗或不合格的情況，提高了轉移過程的可靠性和良品率。

    該專利可應用到的產品：Micro LED顯示類產品。

    03 發明名稱：一種LED陣列擴張檢測裝置及擴張方法

    授權公告號：CN113496907B

    專利權人：重慶康佳光電科技有限公司

    授權類型：中國發明

    授權日：2025-02-18

    專利摘要：

    本發明公開了一種LED陣列檢測裝置，其包括：承載膜，呈陣列排布的LED芯片粘附于所述承載膜上；拉伸設備，設置于所述承載膜的邊緣，用于拉伸所述承載膜；金屬薄片設置于LED陣列中同一行或列相鄰的LED芯片側面，相鄰所述LED芯片相對應的側面設置的兩片所述金屬薄片為一對；電壓施加器，用于向相鄰金屬薄片施加電壓；電容檢測單元，分別連接成對的金屬薄片，用于檢測相鄰金屬薄片間的電容值；控制器，與所述電容檢測器電連接，用于根據所述電容值計算對應LED芯片間距，LED芯片間距達到閾值時向拉伸設備發出拉伸或停止拉伸的信號。該裝置可以準確測量LED芯片之間的間距。

    解決的技術問題：在Micro-LED顯示器的制作過程中，如何快速、準確地調整LED芯片的間距以適應不同尺寸的顯示背板，尤其是在LED芯片尺寸越來越小的情況下，轉移難度顯著增加。

    技術創新點：通過在LED芯片之間設置金屬薄片，并利用電容檢測單元實時檢測電容值，計算LED芯片間距，當達到閾值時停止拉伸，實現準確的間距調整。

    技術效果：實現了對LED芯片間距的精確檢測和調整，簡化了過程，提高了效率，特別是在LED芯片尺寸小的情況下，能夠準確得到擴晶后的LED芯片間距。

    該專利可應用到的產品：Micro-LED芯片以及應用該Micro-LED芯片的顯示類產品。

    04 發明名稱：用于封裝LED結構的封裝治具及封裝方法

    授權公告號：CN114038763B

    專利權人：重慶康佳光電科技有限公司

    授權類型：中國發明

    授權日：2025-02-18

    專利摘要：

    本發明提供了一種用于封裝LED結構的封裝治具，包括注膠定位治具，該注膠定位治具包括基座和蓋板，基座開設有用于收容固定基板的凹槽，蓋板蓋設于基座時，密封覆蓋基板的外圍部，蓋板開設有通孔，用于使得置晶區及LED陣列外露于蓋板，并用于在對LED結構注入封裝膠時，供封裝膠從通孔注入而覆蓋LED芯片陣列以及置晶區，其中，通過蓋板密封覆蓋基板的外圍部，封裝膠從通孔注入時，僅覆蓋LED芯片陣列以及置晶區。通過使用注膠定位治具，使得封裝膠僅覆蓋于基板的置晶區，從而，在對基板的除置晶區之外的區域切割或研磨時，無需切割或研磨膠層而僅切割或研磨基板，避免了封裝膠與基板的置晶區分離的問題。 

    解決的技術問題：現有Micro-LED產品在封膠基板切割和研磨過程中存在膠層與基板分離、切割精度錯位及基板強度降低的問題。

    技術創新點：通過設計用于封裝LED結構的封裝治具，利用注膠定位治具對封膠區域進行內縮，使封裝膠僅覆蓋置晶區，避免膠層與基板分離，并通過切割定位治具和研磨定位治具快速定位和處理基板的外圍部。

    技術效果：實現了在封裝LED結構時無需切割或研磨膠層即可切割或研磨基板，避免了封裝膠與基板置晶區分離的問題，提高了切割和研磨的精度和效率。

    該專利可應用到的產品：Micro LED芯片。