中微半導體設備 (上海) 股份有限公司（證券代碼：688012，簡稱 “中微公司”）近日發布公告，正式推出六款半導體設備新產品。此次新品覆蓋等離子體刻蝕、原子層沉積及外延三大半導體制造關鍵工藝領域，不僅展現了公司在核心技術領域的突破實力，更為其加速向高端設備平臺化公司轉型注入新動能，同時也將為國內半導體設備產業鏈的升級提供助力。

    新品覆蓋兩大核心領域，技術優勢凸顯

    中微公司此次發布的六款新品，聚焦半導體制造中的 “刻蝕” 與 “薄膜沉積” 兩大核心環節，每款產品均針對特定應用場景實現技術優化，兼顧性能與生產效率。

    刻蝕設備：攻堅極高深寬比與金屬刻蝕痛點

    在刻蝕設備領域，兩款新品分別瞄準 “極高深寬比刻蝕” 與 “金屬刻蝕” 兩大關鍵需求，為不同節點芯片制造提供解決方案：

    Primo UD-RIE® 極高深寬比等離子體刻蝕機：基于成熟的 Primo HD-RIE® 架構升級而來，配備六個單反應臺反應腔，通過更低頻率、更大功率的射頻偏壓電源，可提供更高離子轟擊能量，滿足極高深寬比刻蝕的嚴苛要求，同時兼顧精度與效率。該設備還集成多項自主創新技術 —— 動態邊緣阻抗調節系統可優化晶圓邊緣深孔刻蝕垂直性，提升邊緣合格率；上電極多區溫控系統改善高功率下的散熱，增強設備穩定性；全新溫度可切換多區控溫靜電吸盤與主動控溫邊緣組件，則能提升抗電弧放電能力與晶圓邊緣良率，為先進存儲芯片生產提供關鍵保障。

    Primo Menova™12 寸 ICP 單腔刻蝕設備：專注金屬刻蝕領域，擅長金屬 Al 線、Al 塊刻蝕，廣泛適用于功率半導體、存儲器件及先進邏輯芯片制造，是晶圓廠金屬化工藝的核心設備。其優勢在于卓越的刻蝕均一性，可實現高速率、高選擇比及低底層介質損傷；高效腔體清潔工藝能減少污染、延長設備運行時間；集成的高溫水蒸氣除膠腔室還可快速清除金屬刻蝕后的光刻膠及副產物。此外，主刻蝕腔體與除膠腔體可靈活組合，滿足高負荷生產下的效率與穩定性需求。

    薄膜沉積設備：三款 ALD 產品 + 一款外延設備，覆蓋多應用場景

    薄膜沉積設備領域的四款新品，包括三款原子層沉積（ALD）產品與一款外延設備，進一步完善了中微公司在薄膜工藝環節的產品矩陣：

    Preforma Uniflash® 金屬柵系列 ALD 產品：涵蓋 TiN、TiAl、TaN 三大品類，專為先進邏輯與先進存儲器件的金屬柵應用設計。該系列采用中微獨創的雙反應臺設計，可靈活配置多達五個雙反應臺反應腔，在滿足高真空工藝集成需求的同時，實現業界領先的生產效率。此外，產品搭載多級勻氣混氣系統、模型算法加熱系統及高效流導設計等核心技術，在薄膜均一性、污染物控制能力及生產效率上均達到世界先進水平，可充分滿足先進邏輯客戶的性能需求。

    PRIMIO Epita® RP 雙腔減壓外延設備：作為當前市場獨有的雙腔設計外延減壓設備，其反應腔體積為全球最小，且可靈活配置多至 6 個反應腔，能顯著降低生產成本與化學品消耗，同時保障高生產效率。設備擁有完全自主知識產權，通過雙腔設計、多層獨立控制氣體分區，以及多徑向調節能力的溫場溫控設計，實現了優秀的流場與溫場均勻性。憑借強工藝適應性與兼容性，該設備可覆蓋從成熟到先進節點的邏輯、存儲、功率器件等多領域外延工藝需求。

    新品注入轉型動能，長期利好市場拓展與業績增長

    隨著半導體技術向更先進節點迭代，等離子體刻蝕、原子層沉積及外延等技術的市場需求持續攀升。中微公司此次集中推出六款新品，不僅進一步豐富了產品布局，更精準契合了客戶在先進工藝環節的設備需求。

    公告顯示，此次新品發布將為中微公司 “加速向高端設備平臺化公司轉型” 提供關鍵支撐 —— 通過覆蓋半導體制造多關鍵工藝，公司將從單一設備供應商向綜合解決方案提供商升級，有助于提升客戶粘性與市場競爭力。長期來看，新品落地將對公司半導體設備市場拓展與業績成長性產生積極影響，同時也將為國內半導體產業鏈突破高端設備 “卡脖子” 環節提供助力。

    提示市場導入風險，公司將及時披露進展

    需注意的是，此次推出的新產品目前尚處于市場導入初期，存在市場推廣與客戶開拓不及預期、客戶驗證失敗等風險，可能對公司未來收入及盈利帶來不確定性。中微公司在公告中表示，將根據新產品后續推進情況及時履行信息披露義務，敬請廣大投資者關注投資風險。

    業內人士指出，此次新品發布是中微公司技術研發實力的集中體現，其后續商業化落地節奏（如客戶驗證進度、訂單轉化情況）將成為公司業績增長的關鍵變量，同時也將為國內半導體設備行業的技術升級提供重要參考。